ໄດໂອດແມ່ນຫຍັງ?

ໄດໂອດແມ່ນອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກສອງປາຍ, ຈໍາກັດການໄຫຼ ປະຈຸບັນໃນທິດທາງດຽວແລະອະນຸຍາດໃຫ້ມັນໄຫຼ freely ໃນທິດທາງກົງກັນຂ້າມ. ມັນ​ມີ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຈໍາ​ນວນ​ຫຼາຍ​ໃນ​ວົງ​ຈອນ​ເອ​ເລັກ​ໂຕຣ​ນິກ​ແລະ​ສາ​ມາດ​ຖືກ​ນໍາ​ໃຊ້​ເພື່ອ​ສ້າງ rectifiers​, inverters​, ແລະ​ເຄື່ອງ​ຜະ​ລິດ​.

ໃນບົດຄວາມນີ້, ພວກເຮົາຈະເອົາ ແນມເບິ່ງ ໄດໂອດແມ່ນຫຍັງ ແລະມັນເຮັດວຽກແນວໃດ. ພວກເຮົາຍັງຈະເບິ່ງບາງການນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປຂອງມັນຢູ່ໃນວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກ. ສະນັ້ນໃຫ້ເລີ່ມຕົ້ນ!

ໄດໂອດເຮັດວຽກແນວໃດ?

A diode ແມ່ນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ ອະນຸຍາດ ກະແສໄຟຟ້າຕ້ອງໄຫຼໄປໃນທິດທາງດຽວ. ປົກກະຕິແລ້ວພວກມັນຖືກພົບເຫັນຢູ່ໃນວົງຈອນໄຟຟ້າ. ພວກເຂົາເຈົ້າດໍາເນີນການບົນພື້ນຖານຂອງອຸປະກອນການ semiconductor ຈາກທີ່ເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກຜະລິດ, ຊຶ່ງສາມາດເປັນ N-type ຫຼື P-type. ຖ້າ diode ເປັນ N-type, ມັນຈະຜ່ານພຽງແຕ່ໃນເວລາທີ່ແຮງດັນໄຟຟ້າຖືກນໍາໃຊ້ໃນທິດທາງດຽວກັນກັບລູກສອນຂອງ diode, ໃນຂະນະທີ່ diodes P-type ຈະຜ່ານພຽງແຕ່ໃນເວລາທີ່ແຮງດັນໄຟຟ້າຖືກນໍາໃຊ້ໃນທິດທາງກົງກັນຂ້າມຂອງລູກສອນຂອງມັນ.

ອຸປະກອນການ semiconductor ອະນຸຍາດໃຫ້ກະແສໄຫຼ, ການສ້າງເຂດ​ການ​ສູນ​ເສຍ​', ນີ້ແມ່ນພາກພື້ນທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກຖືກຫ້າມ. ຫຼັງຈາກແຮງດັນໄຟຟ້າຖືກນໍາໃຊ້, ເຂດ depletion ໄປຮອດທັງສອງສົ້ນຂອງ diode ແລະອະນຸຍາດໃຫ້ປະຈຸບັນໄຫຼຜ່ານມັນ. ຂະບວນການນີ້ເອີ້ນວ່າ "ອະຄະຕິຕໍ່ຫນ້າ".

ຖ້າແຮງດັນຖືກນໍາໃຊ້ກັບ ກົງກັນຂ້າມ ວັດສະດຸ semiconductor, ຄວາມລໍາອຽງປີ້ນກັບກັນ. ນີ້ຈະເຮັດໃຫ້ເຂດ depletion ຂະຫຍາຍອອກໄປຈາກພຽງແຕ່ຫນຶ່ງປາຍຂອງ terminal ແລະຢຸດກະແສຈາກການໄຫຼ. ນີ້ແມ່ນຍ້ອນວ່າຖ້າແຮງດັນໄຟຟ້າຖືກນໍາໄປໃຊ້ໃນເສັ້ນທາງດຽວກັນກັບລູກສອນໃສ່ເຄື່ອງ semiconductor P-type, P-type semiconductor ຈະເຮັດຫນ້າທີ່ຄືກັບ N-type ເພາະວ່າມັນຈະຊ່ວຍໃຫ້ເອເລັກໂຕຣນິກເຄື່ອນທີ່ກົງກັນຂ້າມກັບລູກສອນຂອງມັນ.

ກະແສໄຟຟ້າ Diode

diodes ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຫຍັງ?

Diodes ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບ ແປງ ກະແສໄຟຟ້າໂດຍກົງກັບກະແສໄຟຟ້າສະຫຼັບ, ໃນຂະນະທີ່ຂັດຂວາງການດໍາເນີນການຍ້ອນກັບຂອງຄ່າໄຟຟ້າ. ອົງປະກອບຕົ້ນຕໍນີ້ຍັງສາມາດພົບເຫັນຢູ່ໃນ dimmers, ມໍເຕີໄຟຟ້າ, ແລະແຜງແສງຕາເວັນ.

Diodes ຖືກນໍາໃຊ້ໃນຄອມພິວເຕີສໍາລັບ ປ້ອງກັນ ອົງປະກອບອີເລັກໂທຣນິກຂອງຄອມພິວເຕີຈາກຄວາມເສຍຫາຍອັນເນື່ອງມາຈາກໄຟ surges. ພວກເຂົາຫຼຸດຜ່ອນຫຼືຕັນແຮງດັນໄຟຟ້າເກີນທີ່ເຄື່ອງຕ້ອງການ. ມັນຍັງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການໃຊ້ພະລັງງານຂອງຄອມພິວເຕີ, ປະຫຍັດພະລັງງານແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຮ້ອນທີ່ຜະລິດພາຍໃນອຸປະກອນ. ໄດໂອດຖືກນໍາໃຊ້ໃນເຄື່ອງໃຊ້ໃນຊັ້ນສູງເຊັ່ນ: ເຕົາອົບ, ເຄື່ອງລ້າງຈານ, ເຕົາໄມໂຄເວຟແລະເຄື່ອງຊັກຜ້າ. ພວກມັນຖືກໃຊ້ໃນອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ເພື່ອປ້ອງກັນ ຄວາມເສຍຫາຍ ​ເນື່ອງ​ຈາກ​ໄຟ​ຟ້າ​ເກີດ​ຈາກ​ຄວາມ​ລົ້ມ​ເຫຼວ​ຂອງ​ພະ​ລັງ​ງານ.

ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຂອງ diodes​

• ການແກ້ໄຂ
• ຄືກັບສະຫຼັບ
• ວົງຈອນແຍກແຫຼ່ງ
• ເປັນແຮງດັນອ້າງອີງ
• ເຄື່ອງປະສົມຄວາມຖີ່
• ການປົກປ້ອງປະຈຸບັນຍ້ອນກັບ
• ການປົກປ້ອງ polarity ປີ້ນ
• ການ​ປ້ອງ​ກັນ​ໄຟ​ຟ້າ​
• AM envelope detector ຫຼື demodulator (ເຄື່ອງກວດຈັບ diode)
• ຄືກັບແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງ
• ໃນວົງຈອນເຊັນເຊີອຸນຫະພູມບວກ
• ໃນວົງຈອນເຊັນເຊີແສງສະຫວ່າງ
• ຫມໍ້ໄຟແສງຕາເວັນຫຼືຫມໍ້ໄຟ photovoltaic
• ຄືກັບ clipper
• ຄືກັບຜູ້ຮັກສາ

ປະຫວັດຂອງ diode ໄດ້

ຄໍາວ່າ "diode" ມາຈາກ Греческий ຄໍາວ່າ "diodous" ຫຼື "diodos". ຈຸດປະສົງຂອງ diode ແມ່ນເພື່ອອະນຸຍາດໃຫ້ກະແສໄຟຟ້າໄຫຼໃນທິດທາງດຽວ. A diode ຍັງສາມາດເອີ້ນວ່າວາວເອເລັກໂຕຣນິກ.

ໄດ້​ພົບ​ເຫັນ Henry Joseph Round ໂດຍ​ຜ່ານ​ການ​ທົດ​ລອງ​ໄຟ​ຟ້າ​ໃນ​ປີ 1884 ລາວ​. ການທົດລອງເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ດໍາເນີນໂດຍໃຊ້ທໍ່ແກ້ວສູນຍາກາດ, ພາຍໃນມີ electrodes ໂລຫະຢູ່ທັງສອງສົ້ນ. cathode ມີແຜ່ນທີ່ມີຄ່າບວກແລະ anode ມີແຜ່ນທີ່ມີຄ່າລົບ. ເມື່ອກະແສໄຟຟ້າຜ່ານທໍ່, ມັນຈະສະຫວ່າງຂຶ້ນ, ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າພະລັງງານກໍາລັງໄຫຼຜ່ານວົງຈອນ.

ໃຜເປັນຜູ້ປະດິດ diode

ເຖິງແມ່ນວ່າ diode semiconductor ທໍາອິດໄດ້ຖືກ invented ໃນປີ 1906 ໂດຍ John A. Fleming, ມັນແມ່ນສິນເຊື່ອໃຫ້ William Henry Price ແລະ Arthur Schuster ສໍາລັບການປະດິດອຸປະກອນເປັນເອກະລາດໃນປີ 1907.

William Henry Preece ແລະ Arthur Schuster

ປະເພດ diode

• diode ສັນຍານຂະຫນາດນ້ອຍ
• diode ສັນຍານຂະຫນາດໃຫຍ່
• Stabilitron
• ໄດໂອດປ່ອຍແສງ (LED)
• DC Diodes
• Schottky diode
• Shockley Diode
• ຂັ້ນ​ຕອນ​ທີ diodes ການ​ຟື້ນ​ຕົວ​
• tunnel diode
• ໄດໂອດ varactor
• laser diode
• ໄດໂອດສະກັດກັ້ນຊົ່ວຄາວ
• diodes doped ຄໍາ
• Super barrier diodes
• ໄດໂອດ Peltier
• crystal diode
• Avalanche Diode
• Silicon ຄວບຄຸມ rectifier
• diodes ສູນຍາກາດ
• PIN-diode
• ຈຸດຕິດຕໍ່
• Diode Hanna

diode ສັນຍານຂະຫນາດນ້ອຍ

diode ສັນ​ຍານ​ຂະ​ຫນາດ​ນ້ອຍ​ເປັນ​ອຸ​ປະ​ກອນ semiconductor ທີ່​ມີ​ຄວາມ​ສາ​ມາດ​ສະ​ຫຼັບ​ໄວ​ແລະ​ການ​ຫຼຸດ​ລົງ​ແຮງ​ດັນ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ຕ​່​ໍ​າ​. ມັນສະຫນອງລະດັບສູງຂອງການປົກປ້ອງຄວາມເສຍຫາຍອັນເນື່ອງມາຈາກການໄຫຼ electrostatic.

diode ສັນຍານຂະຫນາດໃຫຍ່

diode ສັນ​ຍານ​ຂະ​ຫນາດ​ໃຫຍ່​ແມ່ນ​ປະ​ເພດ​ຂອງ diode ທີ່​ສົ່ງ​ສັນ​ຍານ​ໃນ​ລະ​ດັບ​ພະ​ລັງ​ງານ​ສູງ​ກ​່​ວາ diode ສັນ​ຍານ​ຂະ​ຫນາດ​ນ້ອຍ​. ໄດໂອດສັນຍານຂະຫນາດໃຫຍ່ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອປ່ຽນ AC ເປັນ DC. diode ສັນຍານຂະຫນາດໃຫຍ່ຈະສົ່ງສັນຍານໂດຍບໍ່ມີການສູນເສຍພະລັງງານແລະມີລາຄາຖືກກວ່າ capacitor electrolytic.

A capacitor decoupling ມັກຖືກນໍາໃຊ້ໃນການປະສົມປະສານກັບ diode ສັນຍານຂະຫນາດໃຫຍ່. ການນໍາໃຊ້ອຸປະກອນນີ້ມີຜົນກະທົບທີ່ໃຊ້ເວລາຕອບສະຫນອງຊົ່ວຄາວຂອງວົງຈອນ. ຕົວເກັບປະຈຸ decoupling ຊ່ວຍຈໍາກັດການເຫນັງຕີງຂອງແຮງດັນທີ່ເກີດຈາກການປ່ຽນແປງ impedance.

Stabilitron

A Zener diode ເປັນປະເພດພິເສດທີ່ຈະພຽງແຕ່ດໍາເນີນການໄຟຟ້າໃນພື້ນທີ່ພາຍໃຕ້ການຫຼຸດລົງແຮງດັນໂດຍກົງ. ນີ້ຫມາຍຄວາມວ່າເມື່ອຫນຶ່ງ terminal ຂອງ diode zener ແມ່ນ energized, ມັນອະນຸຍາດໃຫ້ປະຈຸບັນຍ້າຍຈາກ terminal ອື່ນໄປຫາ terminal energized. ມັນເປັນສິ່ງສໍາຄັນທີ່ອຸປະກອນນີ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງແລະຖືກຮາກຖານ, ຖ້າບໍ່ດັ່ງນັ້ນມັນອາດຈະທໍາລາຍວົງຈອນຂອງທ່ານຢ່າງຖາວອນ. ມັນຍັງມີຄວາມສໍາຄັນທີ່ອຸປະກອນນີ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢູ່ນອກ, ຍ້ອນວ່າມັນຈະລົ້ມເຫລວຖ້າວາງໄວ້ໃນບັນຍາກາດທີ່ຊຸ່ມຊື່ນ.

ເມື່ອປະຈຸບັນພຽງພໍຖືກນໍາໃຊ້ກັບ zener diode, ການຫຼຸດລົງແຮງດັນແມ່ນຖືກສ້າງຂຶ້ນ. ຖ້າແຮງດັນນີ້ໄປຮອດຫຼືເກີນແຮງດັນທີ່ແຕກຫັກຂອງເຄື່ອງ, ມັນອະນຸຍາດໃຫ້ກະແສໄຟຟ້າຈາກຫນຶ່ງ terminal.

ໄດໂອດປ່ອຍແສງ (LED)

ໄດໂອດ emitting diode (LED) ແມ່ນເຮັດຈາກວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ປ່ອຍແສງສະຫວ່າງໃນເວລາທີ່ມີຈໍານວນພຽງພໍຂອງກະແສໄຟຟ້າຜ່ານມັນ. ຫນຶ່ງໃນຄຸນສົມບັດທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດຂອງ LEDs ແມ່ນວ່າພວກເຂົາປ່ຽນພະລັງງານໄຟຟ້າເປັນພະລັງງານ optical ໄດ້ປະສິດທິພາບຫຼາຍ. LEDs ຍັງຖືກນໍາໃຊ້ເປັນໄຟຊີ້ບອກເປົ້າຫມາຍໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກເຊັ່ນ: ຄອມພິວເຕີ, ໂມງ, ວິທະຍຸ, ໂທລະພາບ, ແລະອື່ນໆ.

LED ເປັນຕົວຢ່າງທີ່ສໍາຄັນຂອງການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຊີ microchip ແລະໄດ້ເປີດໃຫ້ມີການປ່ຽນແປງທີ່ສໍາຄັນໃນພາກສະຫນາມຂອງແສງສະຫວ່າງ. LEDs ໃຊ້ຢ່າງຫນ້ອຍສອງຊັ້ນ semiconductor ເພື່ອສ້າງແສງສະຫວ່າງ, ຫນຶ່ງໃນຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ pn ເພື່ອສ້າງຜູ້ຂົນສົ່ງ (ເອເລັກໂຕຣນິກແລະຮູ), ເຊິ່ງຫຼັງຈາກນັ້ນຖືກສົ່ງໄປຫາດ້ານກົງກັນຂ້າມຂອງຊັ້ນ "barrier" ທີ່ຈັບຮູຢູ່ຂ້າງຫນຶ່ງແລະເອເລັກໂຕຣນິກໃນອີກດ້ານຫນຶ່ງ. . ພະລັງງານຂອງສາຍສົ່ງທີ່ຕິດຢູ່ນັ້ນຈະປະສົມເຂົ້າກັນໃນ "ສຽງສະທ້ອນ" ທີ່ເອີ້ນວ່າ electroluminescence.

LED ຖືກຖືວ່າເປັນປະເພດແສງສະຫວ່າງທີ່ມີປະສິດທິພາບເພາະວ່າມັນປ່ອຍຄວາມຮ້ອນພຽງເລັກນ້ອຍພ້ອມກັບແສງສະຫວ່າງຂອງມັນ. ມັນມີຊີວິດທີ່ຍາວນານກວ່າໂຄມໄຟ incandescent, ເຊິ່ງສາມາດຢູ່ໄດ້ເຖິງ 60 ເທົ່າ, ມີແສງສະຫວ່າງທີ່ສູງກວ່າແລະປ່ອຍອາຍພິດຫນ້ອຍກວ່າໂຄມໄຟ fluorescent ແບບດັ້ງເດີມ.

ປະໂຫຍດທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດຂອງ LEDs ແມ່ນຄວາມຈິງທີ່ວ່າພວກເຂົາຕ້ອງການພະລັງງານຫນ້ອຍຫຼາຍເພື່ອປະຕິບັດງານ, ຂຶ້ນກັບປະເພດຂອງ LED. ດຽວນີ້ສາມາດໃຊ້ LEDs ທີ່ມີອຸປະກອນພະລັງງານຕັ້ງແຕ່ຈຸລັງແສງຕາເວັນຈົນເຖິງຫມໍ້ໄຟແລະແມ້ກະທັ້ງກະແສໄຟຟ້າສະຫຼັບ (AC).

ມີຫຼາຍຊະນິດຂອງ LEDs ແລະພວກເຂົາມາໃນຫຼາຍສີລວມທັງສີແດງ, ສີສົ້ມ, ສີເຫຼືອງ, ສີຂຽວ, ສີຟ້າ, ສີຂາວ, ແລະອື່ນໆ. ມື້ນີ້, ໄຟ LED ແມ່ນມີຢູ່ໃນຄວາມສະຫວ່າງຂອງ 10 ຫາ 100 lumens ຕໍ່ວັດ (lm / W), ເຊິ່ງເກືອບຄືກັນກັບແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງທົ່ວໄປ.

DC Diodes

ໄດໂອດໃນປະຈຸບັນຄົງທີ່, ຫຼື CCD, ແມ່ນປະເພດຂອງ diode ຄວບຄຸມແຮງດັນສໍາລັບການສະຫນອງພະລັງງານ. ຫນ້າທີ່ຕົ້ນຕໍຂອງ CCD ແມ່ນເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍພະລັງງານຂອງຜົນຜະລິດແລະປັບປຸງສະຖຽນລະພາບແຮງດັນໂດຍການຫຼຸດຜ່ອນການເຫນັງຕີງຂອງມັນເມື່ອການໂຫຼດປ່ຽນແປງ. CCD ຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອປັບລະດັບພະລັງງານ input DC ແລະຄວບຄຸມລະດັບ DC ໃນລາງລົດໄຟອອກ.

Schottky diode

diodes Schottky ຍັງຖືກເອີ້ນວ່າ diodes ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຮ້ອນ.

ໄດໂອດ Schottky ຖືກປະດິດໂດຍທ່ານດຣ Walter Schottky ໃນປີ 1926. ການປະດິດຂອງ Schottky diode ໄດ້ອະນຸຍາດໃຫ້ພວກເຮົານໍາໃຊ້ LEDs (diodes emitting ແສງສະຫວ່າງ) ເປັນແຫຼ່ງສັນຍານທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້.

diode ມີຜົນກະທົບທີ່ເປັນປະໂຫຍດຫຼາຍເມື່ອນໍາໃຊ້ໃນວົງຈອນຄວາມຖີ່ສູງ. Diode Schottky ປະກອບດ້ວຍສາມອົງປະກອບຕົ້ນຕໍ; P, N ແລະຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ໂລຫະ - semiconductor. ການອອກແບບຂອງອຸປະກອນນີ້ແມ່ນການຫັນປ່ຽນແຫຼມຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນພາຍໃນ semiconductor ແຂງ. ນີ້ອະນຸຍາດໃຫ້ຜູ້ຂົນສົ່ງສາມາດປ່ຽນຈາກເຊມິຄອນດັກເຕີໄປຫາໂລຫະ. ໃນທາງກັບກັນ, ນີ້ຈະຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສົ່ງຕໍ່ແຮງດັນ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ການຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍພະລັງງານແລະເພີ່ມຄວາມໄວການປ່ຽນຂອງອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ Schottky diodes ໂດຍຂອບຂະຫນາດໃຫຍ່ຫຼາຍ.

Shockley Diode

The Shockley diode ແມ່ນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ມີການຈັດລຽງບໍ່ສົມມາດຂອງ electrodes. diode ຈະດໍາເນີນການໃນປະຈຸບັນໃນທິດທາງດຽວແລະຫຼາຍຫນ້ອຍຖ້າຫາກວ່າຂົ້ວແມ່ນປີ້ນກັບກັນ. ຖ້າແຮງດັນພາຍນອກຖືກຮັກສາໄວ້ທົ່ວ Shockley diode, ມັນຈະຄ່ອຍໆສົ່ງຕໍ່ຄວາມລໍາອຽງຍ້ອນວ່າແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ນໍາໃຊ້ເພີ່ມຂຶ້ນ, ຈົນເຖິງຈຸດທີ່ເອີ້ນວ່າ "ແຮງດັນຕັດອອກ" ທີ່ບໍ່ມີກະແສໄຟຟ້າທີ່ມີມູນຄ່າຍ້ອນວ່າເອເລັກໂຕຣນິກທັງຫມົດປະສົມປະສານກັບຮູ. . ນອກເຫນືອຈາກແຮງດັນທີ່ຕັດອອກໃນການສະແດງກາຟິກຂອງຄຸນລັກສະນະຂອງແຮງດັນໃນປະຈຸບັນ, ມີພາກພື້ນຂອງການຕໍ່ຕ້ານທາງລົບ. Shockley ຈະເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງທີ່ມີມູນຄ່າການຕໍ່ຕ້ານທາງລົບໃນລະດັບນີ້.

ວຽກງານຂອງ Shockley ສາມາດເຂົ້າໃຈໄດ້ດີທີ່ສຸດໂດຍການແບ່ງອອກເປັນສາມສ່ວນທີ່ເອີ້ນວ່າພາກພື້ນ, ປະຈຸບັນໃນທິດທາງປີ້ນກັບກັນຈາກລຸ່ມຫາເທິງແມ່ນ 0, 1 ແລະ 2 ຕາມລໍາດັບ.

ໃນພາກພື້ນ 1, ເມື່ອແຮງດັນບວກຖືກນໍາໄປໃຊ້ສໍາລັບຄວາມລໍາອຽງຕໍ່ຫນ້າ, ເອເລັກໂຕຣນິກກະຈາຍເຂົ້າໄປໃນ n-type semiconductor ຈາກວັດສະດຸ p-type, ບ່ອນທີ່ "ເຂດ depletion" ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນຍ້ອນການທົດແທນຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການສ່ວນໃຫຍ່. ເຂດ depletion ແມ່ນເຂດທີ່ບັນທຸກ charger ຖືກໂຍກຍ້າຍອອກເມື່ອມີແຮງດັນໄຟຟ້າ. ເຂດ depletion ປະມານ pn junction ປ້ອງກັນກະແສຈາກການໄຫຼຜ່ານທາງຫນ້າຂອງອຸປະກອນ unidirectional.

ເມື່ອເອເລັກໂຕຣນິກເຂົ້າໄປໃນ n-side ຈາກດ້ານ p-type, "ເຂດ depletion" ໄດ້ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນການຫັນປ່ຽນຈາກລຸ່ມຫາເທິງຈົນກ່ວາເສັ້ນທາງໃນປະຈຸບັນຂອງຂຸມໄດ້ຖືກສະກັດ. ຮູທີ່ເຄື່ອນຍ້າຍຈາກເທິງຫາລຸ່ມຈະສົມທົບກັບເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ເຄື່ອນຍ້າຍຈາກລຸ່ມຂຶ້ນເທິງ. ນັ້ນແມ່ນ, ລະຫວ່າງເຂດການເຊື່ອມໂຊມຂອງແຖບ conduction ແລະແຖບ valence, "ເຂດ recombination" ຈະປາກົດ, ເຊິ່ງປ້ອງກັນການໄຫຼເຂົ້າຂອງສາຍສົ່ງຕົ້ນຕໍຜ່ານ Shockley diode.

ໃນປັດຈຸບັນການໄຫຼວຽນຂອງປະຈຸບັນໄດ້ຖືກຄວບຄຸມໂດຍຜູ້ໃຫ້ບໍລິການດຽວ, ເຊິ່ງເປັນຜູ້ຂົນສົ່ງຊົນເຜົ່າສ່ວນນ້ອຍ, ເຊັ່ນ: ເອເລັກໂຕຣນິກໃນກໍລະນີນີ້ສໍາລັບເຄື່ອງ semiconductor n ປະເພດແລະຮູສໍາລັບວັດສະດຸປະເພດ p. ດັ່ງນັ້ນພວກເຮົາສາມາດເວົ້າໄດ້ວ່າໃນທີ່ນີ້ການໄຫຼຂອງກະແສໄຟຟ້າຖືກຄວບຄຸມໂດຍຜູ້ໃຫ້ບໍລິການສ່ວນໃຫຍ່ (ຮູແລະເອເລັກໂຕຣນິກ) ແລະການໄຫຼຂອງກະແສໄຟຟ້າແມ່ນເອກະລາດຂອງແຮງດັນທີ່ໃຊ້ໄດ້ຕາບໃດທີ່ມີຜູ້ໃຫ້ບໍລິການຟຣີພຽງພໍທີ່ຈະດໍາເນີນການ.

ໃນພາກພື້ນ 2, ເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ປ່ອຍອອກມາຈາກເຂດ depletion recombine ກັບຮູໃນດ້ານອື່ນໆແລະສ້າງຜູ້ຂົນສົ່ງສ່ວນໃຫຍ່ໃຫມ່ (ເອເລັກໂຕຣນິກໃນອຸປະກອນປະເພດ p ສໍາລັບ semiconductor n-type). ໃນເວລາທີ່ຂຸມເຫຼົ່ານີ້ເຂົ້າໄປໃນເຂດ depletion, ພວກເຂົາເຈົ້າສໍາເລັດເສັ້ນທາງໃນປະຈຸບັນໂດຍຜ່ານ Shockley diode.

ໃນພາກພື້ນ 3, ເມື່ອແຮງດັນພາຍນອກຖືກນໍາໄປໃຊ້ສໍາລັບຄວາມລໍາອຽງປີ້ນກັບກັນ, ພາກພື້ນຮັບຜິດຊອບພື້ນທີ່ຫຼືເຂດ depletion ປາກົດຢູ່ໃນຈຸດເຊື່ອມຕໍ່, ປະກອບດ້ວຍຜູ້ຂົນສົ່ງສ່ວນໃຫຍ່ແລະຊົນເຜົ່າສ່ວນນ້ອຍ. ຄູ່ electron-hole ຖືກແຍກອອກເນື່ອງຈາກການສະຫມັກຂອງແຮງດັນໄຟຟ້າໃນທົ່ວພວກມັນ, ສົ່ງຜົນໃຫ້ກະແສໄຟຟ້າລອຍຜ່ານ Shockley. ນີ້ເຮັດໃຫ້ຈໍານວນຂະຫນາດນ້ອຍຂອງປະຈຸບັນໄຫຼຜ່ານ Shockley diode.

ຂັ້ນ​ຕອນ​ທີ diodes ການ​ຟື້ນ​ຕົວ​

A step recovery diode (SRD) ແມ່ນອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ສາມາດສະຫນອງສະຖານະຄົງທີ່, ສະຖຽນລະພາບຂອງ conduction ບໍ່ມີເງື່ອນໄຂລະຫວ່າງ anode ແລະ cathode ຂອງຕົນ. ການຫັນປ່ຽນຈາກລັດ off ໄປຫາລັດ on ສາມາດເກີດຈາກກໍາມະຈອນແຮງດັນລົບ. ເມື່ອເປີດ, SRD ປະຕິບັດຕົວຄືກັບ diode ທີ່ສົມບູນແບບ. ເມື່ອປິດ, SRD ແມ່ນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນບໍ່ມີຕົວນໍາທີ່ມີກະແສໄຟຟ້າຮົ່ວໄຫຼ, ແຕ່ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວບໍ່ພຽງພໍທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການສູນເສຍພະລັງງານຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສ່ວນໃຫຍ່.

ຕົວເລກຂ້າງລຸ່ມນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນການຟື້ນຕົວຂອງຄື້ນຟອງສໍາລັບທັງສອງປະເພດຂອງ SRDs. ເສັ້ນໂຄ້ງເທິງສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງປະເພດຂອງການຟື້ນຕົວໄວ, ເຊິ່ງປ່ອຍແສງສະຫວ່າງຈໍານວນຫຼວງຫຼາຍໃນເວລາທີ່ເຂົ້າໄປໃນສະພາບປິດ. ໃນທາງກົງກັນຂ້າມ, ເສັ້ນໂຄ້ງຕ່ໍາສະແດງໃຫ້ເຫັນ diode ການຟື້ນຟູໄວທີ່ສຸດທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການດໍາເນີນການຄວາມໄວສູງແລະສະແດງໃຫ້ເຫັນພຽງແຕ່ລັງສີທີ່ເຫັນໄດ້ຊັດເຈນໃນລະຫວ່າງການຫັນປ່ຽນ.

ເພື່ອເປີດ SRD, ແຮງດັນ anode ຕ້ອງເກີນແຮງດັນຂອງເຄື່ອງ (VT). SRD ຈະປິດເມື່ອທ່າແຮງ anode ຫນ້ອຍກວ່າຫຼືເທົ່າກັບທ່າແຮງ cathode.

tunnel diode

A tunnel diode ແມ່ນຮູບແບບຂອງວິສະວະກໍາ quantum ທີ່ເອົາສອງຊິ້ນຂອງ semiconductor ແລະເຂົ້າຮ່ວມຫນຶ່ງຊິ້ນກັບອີກດ້ານຫນຶ່ງຫັນອອກ. diode tunnel ແມ່ນເປັນເອກະລັກທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກໄຫຼຜ່ານ semiconductor ແທນທີ່ຈະປະມານມັນ. ນີ້ແມ່ນ ໜຶ່ງ ໃນເຫດຜົນຕົ້ນຕໍທີ່ເຕັກນິກປະເພດນີ້ມີຄວາມເປັນເອກະລັກສະເພາະ, ເພາະວ່າບໍ່ມີຮູບແບບອື່ນໆຂອງການຂົນສົ່ງເອເລັກໂຕຣນິກເຖິງຈຸດນີ້ທີ່ສາມາດເຮັດໄດ້ feat ດັ່ງກ່າວ. ຫນຶ່ງໃນເຫດຜົນວ່າເປັນຫຍັງ diodes tunnel ແມ່ນມີຄວາມນິຍົມຫຼາຍແມ່ນວ່າພວກເຂົາໃຊ້ພື້ນທີ່ຫນ້ອຍກວ່າຮູບແບບອື່ນໆຂອງວິສະວະກໍາ quantum ແລະຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນຫຼາຍຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໃນຫຼາຍຂົງເຂດ.

ໄດໂອດ varactor

A varactor diode ແມ່ນ semiconductor ທີ່ໃຊ້ໃນແຮງດັນທີ່ຄວບຄຸມຄວາມອາດສາມາດປ່ຽນແປງໄດ້. diode varactor ມີສອງເຊື່ອມຕໍ່, ຫນຶ່ງຢູ່ດ້ານ anode ຂອງ PN junction ແລະອີກດ້ານຫນຶ່ງຢູ່ດ້ານ cathode ຂອງ PN junction. ໃນເວລາທີ່ທ່ານນໍາໃຊ້ແຮງດັນໄຟຟ້າກັບ varactor, ມັນອະນຸຍາດໃຫ້ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າທີ່ຈະປະກອບເປັນການປ່ຽນແປງຄວາມກວ້າງຂອງຊັ້ນ depletion ຂອງຕົນ. ນີ້ຈະມີການປ່ຽນແປງ capacitance ຂອງຕົນຢ່າງມີປະສິດທິຜົນ.

laser diode

ໄດໂອດເລເຊີແມ່ນເຊມິຄອນດັກເຕີທີ່ປ່ອຍແສງປະສານກັນ, ເອີ້ນວ່າແສງເລເຊີ. ໄດໂອດເລເຊີ ປ່ອຍໂຄນແສງຂະໜານແບບມຸ້ງໜ້າດ້ວຍຄວາມແຕກຕ່າງຕໍ່າ. ນີ້ແມ່ນກົງກັນຂ້າມກັບແຫຼ່ງແສງສະຫວ່າງອື່ນໆ, ເຊັ່ນ: LEDs ທໍາມະດາ, ແສງສະຫວ່າງທີ່ປ່ອຍອອກມາແມ່ນແຕກຕ່າງກັນຫຼາຍ.

laser diodes ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການເກັບຮັກສາ optical, ເຄື່ອງພິມເລເຊີ, ເຄື່ອງສະແກນບາໂຄດແລະການສື່ສານໃຍແກ້ວນໍາແສງ.

ໄດໂອດສະກັດກັ້ນຊົ່ວຄາວ

ໄດໂອດສະກັດກັ້ນແຮງດັນຊົ່ວຄາວ (TVS) ແມ່ນໄດໂອດທີ່ອອກແບບມາເພື່ອປ້ອງກັນແຮງດັນໄຟຟ້າແຮງດັນ ແລະແຮງດັນໄຟຟ້າປະເພດອື່ນໆ. ມັນຍັງມີຄວາມສາມາດແຍກແຮງດັນແລະກະແສໄຟຟ້າເພື່ອປ້ອງກັນບໍ່ໃຫ້ແຮງດັນສູງ transients ເຂົ້າໄປໃນເຄື່ອງເອເລັກໂຕຣນິກຂອງຊິບ. TVS diode ຈະບໍ່ດໍາເນີນການໃນລະຫວ່າງການປະຕິບັດງານປົກກະຕິ, ແຕ່ຈະດໍາເນີນການພຽງແຕ່ໃນໄລຍະຊົ່ວຄາວ. ໃນລະຫວ່າງການຖ່າຍທອດໄຟຟ້າ, ໄດໂອດ TVS ສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ດ້ວຍທັງ dv/dt spikes ໄວ ແລະ dv/dt peaks ຂະຫນາດໃຫຍ່. ອຸປະກອນດັ່ງກ່າວມັກຈະພົບເຫັນຢູ່ໃນວົງຈອນຂາເຂົ້າຂອງວົງຈອນ microprocessor, ບ່ອນທີ່ມັນປະມວນຜົນສັນຍານສະຫຼັບຄວາມໄວສູງ.

diodes doped ຄໍາ

diodes ຄໍາສາມາດພົບເຫັນຢູ່ໃນຕົວເກັບປະຈຸ, rectifiers, ແລະອຸປະກອນອື່ນໆ. diodes ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນອຸດສາຫະກໍາເອເລັກໂຕຣນິກເນື່ອງຈາກວ່າພວກເຂົາເຈົ້າບໍ່ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີແຮງດັນໄຟຟ້າຫຼາຍ. Diodes doped ກັບຄໍາສາມາດຜະລິດຈາກວັດສະດຸ semiconductor p-type ຫຼື n-type. ໄດໂອດສີທອງເຮັດກະແສໄຟຟ້າໄດ້ມີປະສິດທິພາບຫຼາຍຂຶ້ນໃນອຸນຫະພູມສູງ, ໂດຍສະເພາະໃນ diodes n-type.

ຄໍາບໍ່ແມ່ນວັດສະດຸທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບ doping semiconductors ເນື່ອງຈາກວ່າປະລໍາມະນູຂອງຄໍາມີຂະຫນາດໃຫຍ່ເກີນໄປທີ່ຈະເຂົ້າໄປໃນໄປເຊຍກັນ semiconductor ໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍ. ນີ້ຫມາຍຄວາມວ່າປົກກະຕິແລ້ວຄໍາບໍ່ແຜ່ຂະຫຍາຍໄດ້ດີຫຼາຍເຂົ້າໄປໃນ semiconductor. ວິທີຫນຶ່ງເພື່ອເພີ່ມຂະຫນາດຂອງອະຕອມຂອງຄໍາເພື່ອໃຫ້ພວກມັນສາມາດແຜ່ກະຈາຍໄດ້ແມ່ນການເພີ່ມເງິນຫຼື indium. ວິທີການທົ່ວໄປທີ່ສຸດທີ່ໃຊ້ເພື່ອ dope semiconductors ກັບຄໍາແມ່ນການນໍາໃຊ້ sodium borohydride, ເຊິ່ງຊ່ວຍສ້າງໂລຫະປະສົມຂອງຄໍາແລະເງິນພາຍໃນໄປເຊຍກັນ semiconductor.

Diodes doped ກັບຄໍາແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກພະລັງງານຄວາມຖີ່ສູງ. diodes ເຫຼົ່ານີ້ຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນແຮງດັນແລະປະຈຸບັນໂດຍການຟື້ນຕົວພະລັງງານຈາກ EMF ດ້ານຫລັງຂອງຄວາມຕ້ານທານພາຍໃນຂອງ diode. diodes ທອງ doped ຖືກນໍາໃຊ້ໃນເຄື່ອງຈັກເຊັ່ນ: ເຄືອຂ່າຍ resistor, lasers, ແລະ tunnel diodes.

Super barrier diodes

Super barrier diodes ແມ່ນປະເພດຂອງ diode ທີ່ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກແຮງດັນສູງ. diodes ເຫຼົ່ານີ້ມີແຮງດັນຕໍ່ຕ່ໍາຢູ່ທີ່ຄວາມຖີ່ສູງ.

Super barrier diodes ແມ່ນປະເພດ diode ທີ່ມີຄວາມຫຼາກຫຼາຍຫຼາຍຍ້ອນວ່າພວກເຂົາສາມາດປະຕິບັດງານໃນໄລຍະຄວາມຖີ່ແລະແຮງດັນ. ພວກເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຕົ້ນຕໍໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານສໍາລັບລະບົບການແຜ່ກະຈາຍພະລັງງານ, rectifiers, inverters ຂັບ motor ແລະການສະຫນອງພະລັງງານ.

diode superbarrier ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍ silicon dioxide ທີ່ມີການເພີ່ມທອງແດງ. diode superbarrier ມີທາງເລືອກໃນການອອກແບບຫຼາຍ, ລວມທັງ planar germanium superbarrier diode, junction superbarrier diode, ແລະ isolating superbarrier diode.

ໄດໂອດ Peltier

Peltier diode ແມ່ນ semiconductor. ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສ້າງກະແສໄຟຟ້າເພື່ອຕອບສະຫນອງຕໍ່ພະລັງງານຄວາມຮ້ອນ. ອຸປະກອນນີ້ແມ່ນຍັງໃຫມ່ແລະຍັງບໍ່ທັນເຂົ້າໃຈຢ່າງເຕັມສ່ວນ, ແຕ່ເບິ່ງຄືວ່າມັນອາດຈະເປັນປະໂຫຍດສໍາລັບການປ່ຽນຄວາມຮ້ອນເປັນໄຟຟ້າ. ນີ້ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນນ້ໍາຫຼືແມ້ກະທັ້ງໃນລົດ. ນີ້ຈະຊ່ວຍໃຫ້ການນໍາໃຊ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ຜະລິດໂດຍເຄື່ອງຈັກໃນການເຜົາໃຫມ້ພາຍໃນ, ເຊິ່ງປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນສູນເສຍພະລັງງານ. ມັນຍັງຈະຊ່ວຍໃຫ້ເຄື່ອງຈັກເຮັດວຽກໄດ້ມີປະສິດທິພາບຫຼາຍຂຶ້ນ, ຍ້ອນວ່າມັນບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງຜະລິດພະລັງງານຫຼາຍ (ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງໃຊ້ນໍ້າມັນຫນ້ອຍລົງ), ແຕ່ແທນທີ່ Peltier diode ຈະປ່ຽນຄວາມຮ້ອນຂອງຂີ້ເຫຍື້ອໃຫ້ເປັນພະລັງງານ.

crystal diode

Crystal diodes ຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປສໍາລັບການກັ່ນຕອງແຖບແຄບ, oscillators ຫຼືເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງທີ່ມີແຮງດັນ. diode ໄປເຊຍກັນໄດ້ຖືກພິຈາລະນາເປັນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກພິເສດຂອງຜົນກະທົບ piezoelectric. ຂະບວນການນີ້ຊ່ວຍສ້າງແຮງດັນແລະສັນຍານໃນປະຈຸບັນໂດຍນໍາໃຊ້ຄຸນສົມບັດຂອງມັນ. Crystal diodes ຍັງຖືກລວມກັນທົ່ວໄປກັບວົງຈອນອື່ນໆທີ່ສະຫນອງການຂະຫຍາຍຫຼືຫນ້າທີ່ພິເສດອື່ນໆ.

Avalanche Diode

ໄດໂອດ avalanche ເປັນ semiconductor ທີ່ສ້າງ avalanche ຈາກເອເລັກໂຕຣນິກດຽວຈາກແຖບ conduction ກັບ valence band. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ເປັນ rectifier ໃນວົງຈອນພະລັງງານ DC ແຮງດັນສູງ, ເປັນເຄື່ອງກວດຈັບລັງສີ infrared, ແລະເປັນເຄື່ອງ photovoltaic ສໍາລັບ radiation ultraviolet. ຜົນກະທົບຂອງ avalanche ເພີ່ມການຫຼຸດລົງແຮງດັນຕໍ່ຫນ້າໃນທົ່ວ diode ເພື່ອໃຫ້ມັນສາມາດເຮັດໃຫ້ມີຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າແຮງດັນທີ່ແຕກຫັກ.

Silicon ຄວບຄຸມ rectifier

The Silicon Controlled Rectifier (SCR) ແມ່ນ thyristor ສາມປາຍ. ມັນໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອເຮັດໜ້າທີ່ຄືກັບສະວິດໃນເຕົາອົບໄມໂຄເວຟເພື່ອຄວບຄຸມພະລັງງານ. ມັນສາມາດຖືກກະຕຸ້ນໂດຍປະຈຸບັນຫຼືແຮງດັນ, ຫຼືທັງສອງ, ຂຶ້ນກັບການຕັ້ງຄ່າຜົນຜະລິດປະຕູ. ໃນເວລາທີ່ pin ປະຕູແມ່ນເປັນລົບ, ມັນອະນຸຍາດໃຫ້ກະແສໄຟຟ້າໄຫຼຜ່ານ SCR, ແລະໃນເວລາທີ່ມັນເປັນບວກ, ມັນສະກັດກັ້ນກະແສໄຟຟ້າຈາກການໄຫຼຜ່ານ SCR. ສະຖານທີ່ຂອງ pin ປະຕູກໍານົດວ່າ passes ໃນປັດຈຸບັນຫຼືຖືກສະກັດໃນເວລາທີ່ມັນຢູ່ໃນສະຖານທີ່.

diodes ສູນຍາກາດ

diodes ສູນຍາກາດແມ່ນປະເພດອື່ນຂອງ diode, ແຕ່ແຕກຕ່າງຈາກປະເພດອື່ນໆ, ພວກມັນຖືກນໍາໃຊ້ໃນທໍ່ສູນຍາກາດເພື່ອຄວບຄຸມກະແສໄຟຟ້າ. diodes ສູນຍາກາດອະນຸຍາດໃຫ້ກະແສໄຟຟ້າທີ່ແຮງດັນຄົງທີ່, ແຕ່ຍັງມີຕາຂ່າຍໄຟຟ້າຄວບຄຸມທີ່ປ່ຽນແປງແຮງດັນນັ້ນ. ອີງຕາມແຮງດັນໄຟຟ້າໃນຕາຂ່າຍໄຟຟ້າຄວບຄຸມ, diode ສູນຍາກາດຈະອະນຸຍາດໃຫ້ຫຼືຢຸດກະແສໄຟຟ້າ. diodes ສູນຍາກາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງແລະ oscillator ໃນເຄື່ອງຮັບວິທະຍຸແລະເຄື່ອງສົ່ງ. ພວກເຂົາເຈົ້າຍັງເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນ rectifiers ທີ່ແປງ AC ເປັນ DC ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໂດຍອຸປະກອນໄຟຟ້າ.

PIN-diode

PIN diodes ແມ່ນປະເພດຂອງ diode pn junction. ໂດຍທົ່ວໄປ, PINs ແມ່ນ semiconductor ທີ່ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານຕ່ໍາເມື່ອມີແຮງດັນໄຟຟ້າຖືກນໍາໃຊ້ກັບມັນ. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ານີ້ຈະເພີ່ມຂຶ້ນຍ້ອນວ່າແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ນໍາໃຊ້ເພີ່ມຂຶ້ນ. ລະ​ຫັດ PIN ມີ​ແຮງ​ດັນ​ເກນ​ກ່ອນ​ທີ່​ພວກ​ເຂົາ​ເຈົ້າ​ຈະ​ກາຍ​ເປັນ conductive. ດັ່ງນັ້ນ, ຖ້າບໍ່ມີແຮງດັນທາງລົບຖືກນໍາໄປໃຊ້, diode ຈະບໍ່ຜ່ານປະຈຸບັນຈົນກ່ວາມັນບັນລຸມູນຄ່ານີ້. ປະລິມານຂອງກະແສໄຟຟ້າທີ່ໄຫຼຜ່ານໂລຫະຈະຂຶ້ນກັບຄວາມແຕກຕ່າງທີ່ອາດມີຫຼືແຮງດັນລະຫວ່າງສອງ terminals, ແລະຈະບໍ່ມີການຮົ່ວໄຫຼຈາກຫນຶ່ງ terminal ກັບອີກ.

ຈຸດຕິດຕໍ່ Diode

ຈຸດໄດໂອດແມ່ນອຸປະກອນທາງດຽວທີ່ສາມາດປັບປຸງສັນຍານ RF ໄດ້. ຈຸດຕິດຕໍ່ແມ່ນຍັງເອີ້ນວ່າ transistor ທີ່ບໍ່ມີຈຸດເຊື່ອມຕໍ່. ມັນປະກອບດ້ວຍສອງສາຍທີ່ຕິດກັບວັດສະດຸ semiconductor. ເມື່ອສາຍໄຟເຫຼົ່ານີ້ແຕະ, "ຈຸດ pinch" ຖືກສ້າງຂຶ້ນບ່ອນທີ່ເອເລັກໂຕຣນິກສາມາດຂ້າມໄດ້. ປະເພດຂອງ diode ນີ້ຖືກນໍາໃຊ້ໂດຍສະເພາະກັບວິທະຍຸ AM ແລະອຸປະກອນອື່ນໆເພື່ອເຮັດໃຫ້ເຂົາເຈົ້າສາມາດກວດພົບສັນຍານ RF.

Diode Hanna

Gunn diode ແມ່ນ diode ປະກອບດ້ວຍສອງຈຸດຕ້ານການຂະຫນານ pn ທີ່ມີຄວາມສູງອຸປະສັກທີ່ບໍ່ສົມມາດ. ນີ້ເຮັດໃຫ້ການສະກັດກັ້ນທີ່ເຂັ້ມແຂງຂອງການໄຫຼຂອງເອເລັກໂຕຣນິກໃນທິດທາງຂ້າງຫນ້າ, ໃນຂະນະທີ່ປະຈຸບັນຍັງໄຫຼໃນທິດທາງປີ້ນກັບກັນ.

ອຸ​ປະ​ກອນ​ເຫຼົ່າ​ນີ້​ໄດ້​ຖືກ​ນໍາ​ໃຊ້​ທົ່ວ​ໄປ​ເປັນ​ເຄື່ອງ​ຜະ​ລິດ microwave​. ເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກປະດິດຂຶ້ນປະມານ 1959 ໂດຍ J. B. Gann ແລະ A. S. Newell ຢູ່ຫ້ອງການໄປສະນີ Royal ໃນອັງກິດ, ຈາກຊື່ດັ່ງກ່າວມາ: "Gann" ເປັນຕົວຫຍໍ້ຂອງຊື່ຂອງເຂົາເຈົ້າ, ແລະ "diode" ເນື່ອງຈາກວ່າພວກເຂົາເຈົ້າເຮັດວຽກກ່ຽວກັບອຸປະກອນອາຍແກັສ (Newell ກ່ອນຫນ້ານີ້ເຮັດວຽກ. ທີ່ Edison Institute of Communications). Bell Laboratories, ບ່ອນທີ່ທ່ານເຮັດວຽກກ່ຽວກັບອຸປະກອນ semiconductor).

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂະຫນາດໃຫຍ່ຄັ້ງທໍາອິດຂອງ Gunn diodes ແມ່ນການຜະລິດອຸປະກອນວິທະຍຸ UHF ທະຫານອັງກິດຄັ້ງທໍາອິດ, ເຊິ່ງໄດ້ເຂົ້າມາໃນການນໍາໃຊ້ປະມານ 1965. ວິ​ທະ​ຍຸ AM ທະ​ຫານ​ຍັງ​ໄດ້​ນໍາ​ໃຊ້​ຢ່າງ​ກວ້າງ​ຂວາງ​ຂອງ Gunn diodes​.

ລັກສະນະຂອງ Gunn diode ແມ່ນວ່າປະຈຸບັນແມ່ນພຽງແຕ່ 10-20% ຂອງ diode ຊິລິຄອນທໍາມະດາ. ນອກຈາກນັ້ນ, ແຮງດັນຫຼຸດລົງໃນທົ່ວ diode ແມ່ນປະມານ 25 ເທົ່າຫນ້ອຍກ່ວາ diode ທໍາມະດາ, ໂດຍປົກກະຕິ 0 mV ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງສໍາລັບ XNUMX.

ວິດີໂອສອນສອນ

ໄດໂອດແມ່ນຫຍັງ - Tutorial Electronics For Beginners

ສະຫລຸບ

ພວກເຮົາຫວັງວ່າທ່ານຈະໄດ້ຮຽນຮູ້ວ່າ diode ແມ່ນຫຍັງ. ຖ້າທ່ານສົນໃຈໃນການຮຽນຮູ້ເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບວິທີການອົງປະກອບທີ່ຫນ້າອັດສະຈັນນີ້ເຮັດວຽກ, ກວດເບິ່ງບົດຄວາມຂອງພວກເຮົາໃນຫນ້າ diodes. ພວກເຮົາເຊື່ອໝັ້ນວ່າເຈົ້າຈະນຳໃຊ້ທຸກຢ່າງທີ່ເຈົ້າໄດ້ຮຽນຮູ້ໃນຄັ້ງນີ້ເຊັ່ນກັນ.